不同 X 射線探測器之間的差異。硫氧化釓 (GOS) 非晶硅探測器由涂有非晶硅層（用作光電二極管）的閃爍體或磷光體層，都需要閃爍體將X射線轉化為可見光，再通過感光元件將轉化后的可見光轉化為電信號，再通過TFT陣列切換成像，這也是間接數碼攝影。

      根據閃爍晶體涂層材料的不同，非晶硅探測器一般分為兩種主要類型：碘化銫（CsI）非晶硅探測器和硫氧化釓（GOS）非晶硅探測器。這兩種探測器的成像原理基本相同，但在性能方面，碘化銫具有針狀晶體結構，將X射線轉換為可見光的整體轉換效率高于硫氧化釓涂層。散斑色散也更小。因此，使用碘化銫作為閃爍體材料，X射線劑量更小，成像更清晰。然而，由于硫氧化釓涂層不需要長時間的沉積工藝，因此硫氧化釓的制備工藝簡單，成本低廉。碘化銫非晶硅探測器的生產成本比硫氧化釓非晶硅探測器的生產成本要高，所以一般情況下，優選氧硫化釓涂層的碘化銫非晶硅探測器。    

    550 nm 的長波光敏感。因此，其技術可以將硫氧化釓非晶硅探測器的成像亮度提高30%，可以達到碘化銫非晶硅探測器的成像效果。且其生產成本低于后者，具有可觀的市場應用前景。食品安全一直以來是關系到生命健康的大事。在食品生產加工領域，快速而準確的檢測出食品中的異物，包括金屬、玻璃、塑料、骨頭等密度較高的雜質，是保證產品質量控制的關鍵。X光檢測在此領域有著廣泛的應用，可以在流水線作業中快速成像定位異物并作出相應的處理。

      硫氧化釓 (GOS) 非晶硅探測器是通過在 TFT 陣列上涂覆非晶硒而形成的。與非晶硅探測器相比，它不需要閃爍晶體即可將 X 射線轉換為可見光。當 X 射線撞擊無定形硒層時，會產生電子-空穴對。這些電子和空穴在外加偏置場的作用下會向相反的方向運動，形成電流，電流在TFT中集成，形成存儲的電荷。通過讀出電荷量，可以知道每個點的 X 射線劑量。

      因此，硫氧化釓（GOS）非晶硅探測器比非晶硅探測器更直接的數碼攝影，可以完全避免X射線轉換為可見光過程中因散射而造成的清晰度損失。但它的缺點是它的偏置電場高達幾千伏，高壓電場會對TFT開關造成損壞，降低使用壽命。并且生產成本也高于非晶硅探測器。